Slide 7
Slide 7 text
① PFP+電場: 対象系とシミュレーション条件
7
(ZrO2
)1-x
(Y2
O3
)x
x=0.08, 3x3x3 cubic cell
電場なしのNPTアンサンブルMDから格子定数を決定(0.5 ns)
電場なしのNVTアンサンブルMDで構造緩和(0.5 ns)
NVT アンサンブル, 電場あり (0.5 ns; 800 K, 1000 K, 1200 K).
電場を変化させてイオン伝導度を計算
YSZ
HCl 水溶液
水214分子に対してH+, Cl-イオンを一つずつ配置(0.27 mol/L)
D3による分散力モデルを追加
電場なしのNPTアンサンブルMDから格子定数を決定(0.3 ns)
電場なしのNVTアンサンブルMDで構造緩和(0.2 ns)
NVT アンサンブル, 電場あり (0.2 ns; 300 K).
電場を変化させてイオン伝導度を計算
E
E
K. Hisama et al., Comput. Mater. Sci. 218, 111955 (2023).