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電気工学II第6回 /eleceng2_06

電気工学II第6回 /eleceng2_06

Kazuhisa Fujita

March 24, 2023
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  1. 導体と電場 • 電場中に導体を置くとどうなるか? • 導体内では • 電場が0 • 電位が⼀定(接地すると0) +

    + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 電⼦はバラバラに分布してい る. 導体 + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 導体 電場 + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 導体 電場 電⼦は電場により電場と逆向き に移動する. 電⼦は導体の端に移動することで,端に 電⼦がたまり,そこが負極になる. その結果,導体内部に電場が発⽣する. 内部に発⽣した電場と外部の電場が相殺 する. 外部から電場を かける.
  2. 導体球に分布する電荷が作る電場 • 半径Rの導体球に電荷Qが分布しているとする. • この球の中⼼からrの場所の電場を求める. • 電荷が分布している球と同⼼の半径rの球を考える. • 𝑅 <

    𝑟の時, • 導体の電荷はQだから,よってガウスの法則より • 4𝜋𝑟!𝐸 = " #! • 𝐸 = " $%#!&" • 𝑅 ≤ 𝑟の時,導体内部の電場は0である. r E R
  3. 導体球に分布する電荷が作る電位 • 半径Rの導体球に電荷Qが分布しているときの電位を求める.ただし, 無限遠⽅を基準とする. • 電荷が分布している球と同⼼の半径rの球を考える. • 𝑅 < 𝑟の時の電場は𝐸

    = " $%#!&" だから,電位は • 𝑉 = − ∫ ' & " $%#!(" 𝑑𝑥 = " $%#!( ' & = " $%#!( • 𝑅 ≤ 𝑟の時,導体内部の電場は0なので,電位は • 𝑉 = " $%#!) r E R 発展
  4. 問題 • 半径10cmの導体球に 5𝜇𝐶 が帯電している.以下の問に答えよ.ただし, * $%#! を 9.0×10+Nm!/C!とする. •

    帯電した電荷は導体球のどこに 分布するか. • 中⼼から5cmの場所における電場を求めよ. • 中⼼から5cmの場所における電位を求めよ. • 中⼼から100cmの場所における電場を求めよ. • 中⼼から100cmの場所における電位を求めよ. 5𝜇𝐶 10cm
  5. 問題 • 半径10cmの導体球に5𝜇𝐶が帯電している.以下の問に答えよ.ただし, ! "#$! を 9.0×10%Nm&/C&とす る. 1. 帯電した電荷は導体球のどこに

    分布するか. 2. 中⼼から5cmの場所における電場の強さを求めよ. 3. 中⼼から100cmの場所における電場の強さを求めよ. 4. 中⼼から5cmの場所における電位を求めよ.ただし無限遠⽅を0とする. 5. 中⼼から100cmの場所における電位を求めよ.ただし無限遠⽅を0とする. 5𝜇𝐶 10cm 1. 導体表⾯に分布する. 2. 導体内の電場の強さは0N/Cである. 3. 電場の強さは𝐸 = " #$%! & '" = 9.0×10(×5×10)*/1+ = 4.5×10#N/C 4. 導体内部の電位は導体表⾯と同じである.つまり,𝑉 = " #$%! & ' = 9.0×10(×5×10)*/0.1 = 4.5×10,V 5. 電位は𝑉 = " #$%! & ' = 9.0×10(×5×10)*/1 = 4.5×10#V + + + + + + + +
  6. 問題 • 帯電している導体球が真空中におかれている.正しいのはどれか.た だし,導体には電流は流れておらず,すべての電荷が静⽌しているも のとする.(臨床⼯学技⼠国家試験35) 1. 導体表⾯は等電位⾯である. 2. 導体内部には⼀様な電荷が存在する. 導体内部に電荷は無い(厳密に⾔えばあるが打ち消し合っている).

    3. 導体内部には同⼼円状の電場が存在する. 導体内部の電場は0である. 4. 導体内部から放射状に電気⼒線が出⼊りする. 導体内部の電場は0である.よって電気⼒線も0本である. 5. 導体球に帯電体を近づけると導体内部に電位差が⽣じる. 導体内部の電位は⼀定である.
  7. 問題 • 真空中に正電荷で帯電した半径𝑟の球形導体がある.電場強度が最も⼤きい部分はどれ か.(25回) 1. 導体の中⼼点 2. 導体の中⼼から0.5𝑟離れた位置 3. 導体表⾯近傍で導体内の位置

    4. 導体表⾯近傍で導体外の位置 5. 導体中⼼から2𝑟離れた位置 1. 導体内の電場は0 2. 0.5rの場所は導体内なので電場は0 3. 表⾯近傍であっても導体内の電場は0 4. 電場の強さは逆⼆乗則に従っているので5の2r離れた場 所より導体球近傍の⽅が電場は強い.
  8. 問題 • 図は真空中に正電荷で帯電した半径rの導体球の断⾯である.図中の各 点(*)において電場強度の最も⼤きい点はどれか.(臨床⼯学技⼠国 家試験32回) 1. A 2. B 3.

    C 4. D 5. E ໰୊ɹûüɹਤ͸ɺਅۭதʹਖ਼ిՙͰଳిͨ͠൒ܘ r ͷಋମٿͷஅ໘Ͱ͋Δɻ ਤதͷ֤఺ ʢˎʣ ʹ͓͍ͯిքڧ౓͕࠷΋େ͖͍఺͸ͲΕ͔ɻ øɽ" ùɽ# úɽ$ ûɽ% üɽ& ಋମ " ˎ % ˎ r # ˎ $ ˎ & ˎ ਅۭ
  9. 問題 • 図は真空中に正電荷で帯電した半径rの導体球の断⾯である.図中の各 点(*)において電場強度の最も⼤きい点はどれか.(臨床⼯学技⼠国 家試験32回) 1. A 2. B 3.

    C 4. D 5. E ໰୊ɹûüɹਤ͸ɺਅۭதʹਖ਼ిՙͰଳిͨ͠൒ܘ r ͷಋମٿͷஅ໘Ͱ͋Δɻ ਤதͷ֤఺ ʢˎʣ ʹ͓͍ͯిքڧ౓͕࠷΋େ͖͍఺͸ͲΕ͔ɻ øɽ" ùɽ# úɽ$ ûɽ% üɽ& ಋମ " ˎ % ˎ r # ˎ $ ˎ & ˎ ਅۭ 導体内は電場は0なので,A, B, Cの電場は0である. また,電場は距離の2乗に反⽐例するので,遠ければ遠い ほど⼩さい.よってEよりDの電場は⼤きい. よってDの電場が最も⼤きい.
  10. 無限に広い導体平⾯にある電荷が⽣成する電位 • 無限に広い導体平⾯にある電荷が作る電場𝐸は次の式で表せる. • 𝐸 = , #! • 電位は,導体表⾯を基準とし導体表⾯からの距離をdとすると,

    • 𝑉 = − ∫ . / 𝐸𝑑𝑥 = − ∫ . / , #! 𝑑𝑥 = − ,. #! • つまり,電位は導体表⾯からの距離に⽐例する. • 正電荷が電場を作る設定なので,1Cの正電荷が導体から離れると位置エネ ルギーは減ることになる(電位は負になる). + + + + + +
  11. コンデンサ(キャパシタ) • コンデンサ • 電荷を貯めることができる. • コンデンサの両端電位差Vの時,コンデンサに貯まる電荷Qは • 𝑄 =

    𝐶𝑉 • ⽐例定数Cは静電容量または電気容量という. • 静電容量の単位は F(ファラデー,ファラッド) t*E¥*IE tt is [f¥¥,E¥tEt . a E V[V] Q[C]貯まる
  12. 導体球の静電容量 • 単なる導体球も電荷を貯めることができるため,コンデンサと⾒ることができる. • 半径Rの導体球の静電容量を求める. • 導体球Qを与えたとすると周囲の電場はガウスの法則より • 𝐸 ⋅

    4𝜋𝑟# = $ %' • 𝐸 = $ &'((%' • 無限遠⽅との導体表⾯の電位差は • 𝑉 = − ∫ ) * $ &'((%' 𝑑𝑟 = $ &'%'* • 𝑄 = 𝐶𝑉より • 𝐶 = $ + = 4𝜋𝜀, 𝑅 これが導体球の静電容量
  13. 平⾏板コンデンサ内の電場 • ⼀般的にコンデンサとして⽤いられる平⾏板コンデンサの電気容量を求め る. • それぞれの板に電荷密度𝜎と −𝜎 で帯電しているとする. • 電荷密度ρで帯電している板をが⽣成する電場𝐸-

    は誘電率を 𝜀. とすると • 2𝑑𝑆𝐸- = /01 2, • 𝐸- = / 32, • 電荷密度−𝜎で帯電している板が⽣成する電場𝐸4 は • 𝐸4 = − / 32, • 平⾏板の間の電場は,それぞれの板が⽣成する電場は同じ向きだから • 𝐸 = 𝐸- + 𝐸4 = / 2, 発展
  14. 平⾏板コンデンサの内の電圧 • 平⾏板コンデンサ内の電場は次のとおりである. • 𝐸 = 0 #! • 平⾏板コンデンサの平⾏板と距離dの場所の電位差(電圧)Vは

    • 𝑉 = − ∫ . / , #! 𝑑𝑥 = ,. #! • つまり,平⾏板コンデンサ内の電圧は平⾏板からの距離に⽐例する.
  15. 平⾏板コンデンサ内の静電容量 • 電荷密度ρは板に帯電している電荷を𝑄,板の⾯積を𝑆とすると • 𝜎 = " - • よって𝑉は

    • 𝑉 = ". #!- • 𝑄 = 𝐶𝑉より • 𝐶 = #!-" ". = #!- . • これが平⾏板コンデンサの静電容量である.
  16. コンデンサのまとめ • コンデンサに貯まる電荷𝑄 = 𝐶𝑉 • 平⾏板コンデンサの静電容量𝐶 = #!- .

    • 平⾏板が広ければ広いほど多く電荷を貯めることが出来る. • 平⾏板が離れれば離れるほど電荷を貯める量が減る. t*E¥*IE tt is rya [f¥¥,E¥tEt . a EIEi0D@iIEi :* :* ⾯積S 間隔d 電圧V 電荷Q
  17. 問題 • 真空中で,半径0.12mの2枚の⾦属板を2.0×1012mの間隔で平⾏に向か い合わせて,各⾦属板に絶対値5.0×1013Cの正負電荷を与える.真空 の誘電率を8.85×101*!F/mとする. • 1. コンデンサの電気容量はいくらか. • 2.

    ⾦属板の間に⽣じた電位差は何Vか. 1. 𝐶 = !," # = $.$&×()-./×).(*×).(*×+.(, *.)×()-0 = 0.20×10-(*.+ = 2.0×10-()F 2. Q=CVより 𝑉 = 𝑄 𝐶 = 5.0×10-$ 2.0×10-() = 2.5×10*
  18. 問題 • 2つのコンデンサA,Bがある.平⾏板の⾯積⽐は2:1,平⾏板の間隔の ⽐は3:2で,Aの電気容量は6.0μFである.Bの容量は何μFか. コンデンサAの電気容量は 𝐶4 = 𝜀/ 𝑆4 𝑑4

    コンデンサBの電気容量は 𝐶5 = 𝜀/ 𝑆5 𝑑5 = 𝜀/ 𝑆4 /2 2𝑑4 /3 = 3 4 𝜀/ 𝑆4 𝑑4 = 3×6 4 = 4.5 よってコンデンサBの電気容量は4.5μFである.
  19. 問題 • 2枚の同じ⾯積の⾦属平板A,Bを間隔𝑑だけ離して平⾏に並べた.⾦属 平板Aに電荷+𝑄を,⾦属平板Bに電荷−𝑄を与えた.その後,⾦属平板 Bだけ動かし,最初の位置から10𝑑離した.⾦属平板と⾦属平板Bʼの電 位差は,⾦属平板Bを動かす前の何倍か.(臨⼯学技⼠国家試験36) 1. 1.0倍 2. 5.0倍

    3. 5.5倍 4. 10倍 5. 11倍 ໰୊ɹûýɹ ù ຕͷಉ͡໘ੵͷۚଐฏ൘ "ɺ# Λִؒ d ͚ͩ཭ͯ͠ฏߦʹฒ΂ͨɻۚ ଐฏ൘ " ʹిՙ +Q Λɺۚଐฏ൘ # ʹిՙ -Q Λ༩͑ͨɻͦͷޙɺۚଐฏ൘ # ͩ ͚ಈ͔͠ɺ࠷ॳͷҐஔ͔Β ø÷d ཭ͨ͠ɻ ۚଐฏ൘ " ͱۚଐฏ൘ #ʟ ͷిҐࠩ͸ɺۚଐฏ൘ # Λಈ͔͢લͷԿഒ͔ɻ d ø÷d " # #ʟ
  20. 問題 • 2枚の同じ⾯積の⾦属平板A,Bを間隔𝑑だけ離して平⾏に並べた.⾦属 平板Aに電荷+𝑄を,⾦属平板Bに電荷−𝑄を与えた.その後,⾦属平板 Bだけ動かし,最初の位置から10𝑑離した.⾦属平板と⾦属平板Bʼの電 位差は,⾦属平板Bを動かす前の何倍か.(臨⼯学技⼠国家試験36) 1. 1.0倍 2. 5.0倍

    3. 5.5倍 4. 10倍 5. 11倍 ໰୊ɹûýɹ ù ຕͷಉ͡໘ੵͷۚଐฏ൘ "ɺ# Λִؒ d ͚ͩ཭ͯ͠ฏ ଐฏ൘ " ʹిՙ +Q Λɺۚଐฏ൘ # ʹిՙ -Q Λ༩͑ͨɻͦͷޙ ͚ಈ͔͠ɺ࠷ॳͷҐஔ͔Β ø÷d ཭ͨ͠ɻ ۚଐฏ൘ " ͱۚଐฏ൘ #ʟ ͷిҐࠩ͸ɺۚଐฏ൘ # Λಈ͔͢લͷ d ø÷d " # #ʟ øɽçøɽ ÷ ഒ 移動前の静電容量は 𝐶 = 𝜀) 𝑆 𝑑 である.移動後の静電容量は 𝐶* = 𝜀) 𝑆 𝑑 + 10𝑑 = 𝜀) 𝑆 11𝑑 である. よって移動前移動後の電位差は 𝑉 = 𝑄 𝐶 , 𝑉* = 𝑄 𝐶* よって電位差の⽐は 𝑉* 𝑉 = 𝐶* 𝐶 = 11
  21. 問題解説 • 図の回路のキャパシタに蓄えられているエネルギー[J]はどれか.(第 41回ME2種) 1. 𝐶𝑅𝐼! 2. 6) !9" 3.

    9 !6) 4. 69) $ 5. 69")" ! - 9 - (1) 0.5 (2) 1.0 (3) 1.5 (4) 2.0 (5) 2.5 【AM29】図の RLC 直列共振回路の Q(Quality factor)に最も近いの はどれか。 (1) 1 (2) 2 (3) 3 (4) 4 (5) 5 【AM30】図の回路のキャパシタに蓄えられているエネルギー[J] はどれか。 (1) (2) (3) (4) (5) 2 CRI 2 2I CR CR I 2 4 CIR 2 2 2R I C 5V 7V R 100Ω 4mH 0.1μ F R C I
  22. 問題解説 • 図の回路のキャパシタに蓄えられているエネルギー[J]はどれか.(第 41回ME2種) 1. 𝐶𝑅𝐼! 2. 6) !9" 3.

    9 !6) 4. 69) $ 5. 69")" ! - 9 - (1) 0.5 (2) 1.0 (3) 1.5 (4) 2.0 (5) 2.5 【AM29】図の RLC 直列共振回路の Q(Quality factor)に最も近いの はどれか。 (1) 1 (2) 2 (3) 3 (4) 4 (5) 5 【AM30】図の回路のキャパシタに蓄えられているエネルギー[J] はどれか。 (1) (2) (3) (4) (5) 2 CRI 2 2I CR CR I 2 4 CIR 2 2 2R I C 5V 7V R 100Ω 4mH 0.1μ F R C I キャパシタに加わる電圧は,並列回路なので抵抗𝑅 に加わる電圧と等しい.また,直流電源の場合, 定常状態になると𝐶のインピーダンスは無限⼤とな りキャパシタは開放と⾒なせる.つまり,電流𝐼は ,すべて抵抗𝑅に流れる.よって,キャパシタに加 わる電圧Vは 𝑉 = 𝐼𝑅 である.キャパシタに蓄えられるエネルギー𝑊は, 𝑊 = 𝐶𝑉2/2 = 𝐶𝐼2𝑅2/2
  23. コンデンサの直列回路 • 接続する電極にたまる電荷の量は同じので • 𝑄 = 𝐶*𝑉* = 𝐶!𝑉! •

    よって • 6/ 6" = 8" 8/ • また,直列接続なのでC1とC2の電圧降下の和は電源電圧を等しいの で • 𝑉 = 𝑉* + 𝑉! • よってそれぞれのコンデンサに加わる電圧は • 𝑉! = 6/ 6" 𝑉* , 𝑉 = 𝑉* + 6/ 6" 𝑉* = 6/<6" 6" 𝑉* • 𝑉* = 6" 6/<6" 𝑉, 𝑉! = 6/ 6/<6" 𝑉 𝐶# 𝐶$ +𝑄 −𝑄 +𝑄 −𝑄
  24. コンデンサの直列回路 • 合成静電容量Cは • 𝑄 = 𝐶𝑉 = 𝐶*𝑉* •

    𝐶 = 6/6" 6/<6" • 実は合成静電容量は次の式で求められる. • * 6 = * 6/ + * 6" • この式は,抵抗の並列回路の合成抵抗を求める式と同じ形になってい る. 𝐶# 𝐶$ 等価回路
  25. コンデンサの並列回路 • 並列回路なのでコンデンサに加わる電圧はすべて等しいので,それぞ れのコンデンサにたまる電荷Q1,Q2は • 𝑄* = 𝐶*𝑉, 𝑄! =

    𝐶!𝑉 • コンデンサにたまる電荷の総量Qは • 𝑄 = 𝑄* + 𝑄! = 𝐶*𝑉+ 𝐶!𝑉 • よって合成静電容量は • 𝑄 = 𝐶𝑉 • 𝐶 = " 8 = "/<"" 8 = 𝐶* + 𝐶! • この式は,抵抗の直列回路の合成抵抗と同じ形になっている. 𝐶# +𝑄# −𝑄# 𝐶$ +𝑄$ −𝑄$ 電圧V 等価回路
  26. コンデンサの回路のまとめ • コンデンサの直列回路 • それぞれのコンデンサに溜まった電荷は等しい. • 合成静電容量𝐶は( 3 = ∑4

    ( 32 から求まる. • コンデンサの並列回路 • それぞれにかかる電圧は等しい. • 合成静電容量𝐶は𝐶 = ∑4 𝐶4 である. 𝐶# 𝐶$ 𝐶# 𝐶$ 𝑉
  27. 問題解説 • 図の回路でコンデンサC2の両端電圧[V]はいくらか.(第34回ME2種) 1. 3 2. 5 3. 10 4.

    15 5. 20 別解 𝑉 = 𝑉0/ + 𝑉0( 𝑄 = 𝐶1𝑉0/ = 𝐶#𝑉0( 𝑉0/ = 𝐶# 𝐶1 𝑉0( 𝑉 = 𝐶# 𝐶1 𝑉0( + 𝑉0( = 𝐶1 + 𝐶# 𝐶1 𝑉0( 𝑉0( = 𝐶1 𝐶1 + 𝐶# 𝑉 = 5 10 + 5 ×30 = 1 3 ×30 = 10 電圧の⽐はコンデンサの容量の逆⽐なので, 30× 5 15 = 10𝑉
  28. 問題解説 • 図の回路で2μFのキャパシタに蓄積される電荷[μC]はどれか.(第40 回ME2種) 1. 1 2. 2 3. 10

    4. 20 5. 30 ࡍࡿࠋ ࡍࡿࠋ ࡍࡿࠋ ࡍࡿࠋ ࡉࢀ࡚࠸ࡿႱ 5 30 ࣜ࢔ࢡࢱࣥࢫ 2.0Ȑࡢ࢖ࣥࢲࢡࢱࣥࢫ࡟ຍ࠼ ࢡࢱࣥࢫࢆὶࢀࡿ஺ὶࡢ▐᫬್>mA@࡜ࡋ࡚ 1ȣF 10V 1kȐ 2ȣF
  29. 問題解説 • 図の回路で2μFのキャパシタに蓄積される電荷[μC]はどれか.(第40 回ME2種) 1. 1 2. 2 3. 10

    4. 20 5. 30 ࢀ࠿ࠋ ิ࡟᥋ȶࡍࡿࠋ ิ࡟᥋ȶࡍࡿࠋ ୪ิ࡟᥋ȶࡍࡿࠋ ┤ิ࡟᥋ȶࡍࡿࠋ ୪ิ࡟᥋ȶࡍࡿࠋ ࢩࢱ࡟٣ ࡉࢀ࡚࠸ࡿႱ 4 20 5 30 Ⴑᅽࢆ৿ᑟࣜ࢔ࢡࢱࣥࢫ 2.0Ȑࡢ࢖ࣥࢲࢡࢱࣥࢫ࡟ຍ࠼ ࡁ࡟࢖ࣥࢲࢡࢱࣥࢫࢆὶࢀࡿ஺ὶࡢ▐᫬್>mA@࡜ࡋ࡚ 3 0.0 4 3.5 5 5.0 ȐࡢႱ※࡟ྍኚ᢬ᢠ R ࢆ᥋ȶࡋࠊR 10Ȑ R 1ȣF 10V 1kȐ 2ȣF 直流回路のとき,定常状態になるとキャパシタのインピーダ ンスは無限⼤(開放)である.よって,キャパシタで10Vの電 圧降下が起こる.2つのキャパシタは並列につながっているの で,それぞれ10Vの電圧が加わっている.よって,2μFのキャ パシタに溜まった電荷Qは 𝑄 = 2𝜇𝐹 ×10𝑉 = 20μC
  30. 問題 • 図の回路において, 𝐶* = 1𝜇𝐹, 𝐶! = 2𝜇𝐹, 𝐶2

    = 3𝜇𝐹, 𝐸 = 12𝑉 であるとき, 以下の問いに答えよ.答えは分数のままでよい. • 各キャパシタの両極の電位差を求めよ. • 各キャパシタに蓄えられている電気量を求めよ. • 𝐶*, 𝐶! 及び𝐶2 の合成容量を求めよ. 𝐸
  31. 問題 • 図の回路において,𝐶( = 1𝜇𝐹, 𝐶* = 2𝜇𝐹, 𝐶+ =

    3𝜇𝐹, 𝐸 = 12𝑉であるとき,以下の 問いに答えよ.答えは分数のままでよい. 1. 各キャパシタの両極の電位差を求めよ. 𝐸 1 2 3 12V C2とC3の合成電気容量C23は 𝐶!2 = 𝐶! + 𝐶2 = 5𝜇F C1とC23で貯まる電荷は同じだから コンデンサC1,C2,C3の電圧をそれぞれ 𝑉* , 𝑉! , 𝑉2 とすると 𝐶* 𝑉* = 𝐶!2 𝑉!2 𝑉* = 5𝑉!2 よって 𝑉* = 12× 5 6 = 10𝑉 𝑉!2 = 𝑉! = 𝑉2 = 2𝑉
  32. 問題 • 図の回路において, 𝐶* = 1𝜇𝐹, 𝐶! = 2𝜇𝐹, 𝐶2

    = 3𝜇𝐹, 𝐸 = 12𝑉 であるとき, 以下の問いに答えよ.答えは分数のままでよい. • 2. 各キャパシタに蓄えられている電気量を求めよ. 𝐸 各コンデンサに貯まる電気量を 𝑄* ,𝑄! ,𝑄2 とすると 𝑉* = 10𝑉,𝑉! = 𝑉2 = 2𝑉だから 𝑄* = 𝐶* 𝑉* = 10𝜇𝐶 𝑄! = 𝐶! 𝑉! = 4𝜇𝐶 𝑄2 = 𝐶2 𝑉2 = 6𝜇𝐶
  33. 問題 • 図の回路において, 𝐶* = 1𝜇𝐹, 𝐶! = 2𝜇𝐹, 𝐶2

    = 3𝜇𝐹, 𝐸 = 12𝑉 であるとき, 以下の問いに答えよ.答えは分数のままでよい. • 3. 𝐶*, 𝐶! 及び𝐶2 の合成容量を求めよ. 𝐸 C2とC3の合成電気容量C23は 𝐶!2 = 𝐶! + 𝐶2 = 5𝜇F C23とC1は直列だから合成電気容量Cは 1 𝐶 = 1 𝐶* + 1 𝐶!2 = 1 1 + 1 5 = 6 5 よって 𝐶 = 5 6 𝜇F
  34. 問題 • 図の回路で端⼦ab間の合成静電容量[μF]はどれか.(臨床⼯学技⼠国 家試験33) 1. 0.5 2. 1 3. 2

    4. 5 5. 7 ໰୊ɹûüɹਤͷճ࿏Ͱ୺ࢠ BC ؒͷ߹੒੩ి༰ྔ ʦn'ʧ ͸ͲΕ͔ɻ ù n' ù n' ø n' B C ù n' øɽ÷ɽ ü ùɽø
  35. 問題 • 図の回路で端⼦ab間の合成静電容量[μF]はどれか.(臨床⼯学技⼠国 家試験33) 1. 0.5 2. 1 3. 2

    4. 5 5. 7 ໰୊ɹûüɹਤͷճ࿏Ͱ୺ࢠ BC ؒͷ߹੒੩ి༰ྔ ʦn'ʧ ͸ͲΕ͔ɻ ù n' ù n' ø n' B C ù n' øɽ÷ɽ ü ùɽø úɽù ûɽü üɽþ 2μFと2μFが直列接続した場合の合成静電容量は 1 𝐶 = 1 2 + 1 2 = 1 1μFと1μFが並列接続した場合の合成静電容量は 𝐶 = 1 + 1 = 2 2μFと2μFが直列接続した場合の合成静電容量は 1 𝐶 = 1 2 + 1 2 = 1 よって合成静電容量は1μFである.
  36. 抑えるポイント • コンデンサに貯まる電荷 • 𝑄 = 𝐶𝑉 • 平⾏板コンデンサの静電容量 •

    𝐶 = %'2 3 • 平⾏板が広ければ広いほど多く電荷を貯めることが出来る. • 平⾏板が離れれば離れるほど電荷を貯める量が減る. • コンデンサにたまったエネルギー • 𝑊 = 1 # 𝐶𝑉# • コンデンサ𝐶A , 𝐶3 を直列に繋いだときの合成静電容量 • 1 0 = 1 0/ + 1 0( • コンデンサ𝐶A , 𝐶3 を並列に繋いだときの合成静電容量 • 𝐶 = 𝐶1 + 𝐶# [f¥¥,E¥tEt . ⾯積S 間隔d 電圧V 電荷Q